公司新闻 |行业新闻 |
蒸发源是用来加热膜材使之汽化蒸发的装置。目前所用的蒸发源主要有电阻加热、电子束加热、感应加热、电弧加热和激光加热等多种形式。电阻加热式蒸发源：电阻式蒸发源简单、经济、可靠，可以做成不同的容量、形状并具有不同的电特性。电子枪加热蒸发源：有时很多材料不能用电阻加热的形式蒸发，例如常用于可见光和近红外光学
电阻加热蒸发源优点：1.结构简单、使用方便、造价低廉，因此使用普遍；2.可蒸发蒸发温度小于1500℃的铝、金、银等金属，蒸发一些硫化物、氟化物和某些氧化物。要求：1.蒸发源材料的自身熔点要高；2.饱和蒸汽压要低；3.化学性能要稳定，且具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小；4.蒸发源对膜材料
蒸发镀膜涉及到的相变固-气相变：即升华。在这一过程中，源材料从固态直接转变为气态，而不经历液态。这需要足够的能量的才能发生的，一般用加热的方式可以实现。气-固相变：即冷凝，升华的逆过程。当蒸发出的气态物质遇到冷却的衬底时，它们会凝结在其上，形成固态的薄膜。这是一个从气态到固态的相变过程。什么是蒸汽压
蒸发镀膜是一种常用的薄膜制备技术，使用蒸发源将材料加热至蒸发温度，然后通过蒸发的材料沉积在基材表面形成薄膜。以下是几种常见的蒸发源类型：电子束蒸发源：利用电子束将材料加热至蒸发温度，然后蒸发在基材上。电子束蒸发源具有高温度和高速度的优势，适用于多种材料的蒸发。热阻蒸发源：通过通电使蒸发源中的阻焊丝加
MBE技术是在超高真空条件下，用其组元的分子（或原子）束喷射到衬底上生长外延薄层的技术。现代MBE生长系统的背景真空度可达 1.33×10-10Pa，分子束与分子束以及分子束与背景分子之间不发生碰撞。MBE技术的关键III,V族元素分别加热到温度Ti,Tj形成的束 引入到温度为Ts的衬底上生长薄膜，
反射式高能电子衍射(简称rheed)将能量为10～50keV的单能电子掠射 (1°～3°)到晶体表面，其反射束带有晶体表面信息，并呈现于荧光屏。当入射电子束与晶面簇的夹角θ、晶面间距和电子束波长λ三者之间满足布喇格公式时，则沿此晶面簇对入射束的反射方向有衍射束产生，从而得到表面结构的全部信息。反射式
在选择坩埚形状时，个原则是和谐k-cell的加热丝的形状匹配，满足这个前提之后再来考虑其他的方面。这是因为如果形状不匹配，加热就会不均匀，一方面测温不准会影响实验可重复性，另一方面坩埚各个部分热膨胀不均匀可能会导致损坏。接下来再考虑其他方面的问题。原教旨的k-cell想象一个封闭的盒子个封闭的盒子，
电阻加热蒸发源优点:结构简单、使用方便、造价低廉,因此使用普遍;可蒸发蒸发温度小于1500℃的铝、金、银等金属,蒸发一些硫化物、氟化物和某些氧化物.要求:1.蒸发源材料的自身熔点要高;2.饱和蒸汽压要低;3.化学性能要稳定,且具有良好的耐热性,热源变化时,功率密度变化较小;4.蒸发源对膜材料的&qu
超高真空低温扫描隧道显微镜（LT-STM）是在超高真空(优于1*10-9 mbar)、低温（LHe或者LN2）下,以单个原子或分子为的微小探针扫描样品表面，依据量子力学的电子隧道效应，记录针尖到样品之前的pA级的微弱隧穿电流或者自旋分辨电流，表征材料表面亚原子级的结构、电子态、自旋态、电、磁输运及表
（1）窒息MBE外延设备要在超高真空条件下工作，需要使用氮气源吹扫置换；喷射炉的炉口需使用液氮进行屏蔽。在现场设置氮气/液氮钢瓶或者通过管道输送氮气/液氮，如果氮气瓶安全附件不齐全或有缺陷，氮气/液氮管道的阀门、零件等腐蚀或存在缺陷，可能发生气瓶或管道的泄漏，如果作业场所通风不良，人员防护不当，会引
